הטכניון בין 100 המובילות בעולם בפטנטים אמריקאיים, שנה חמישית ברציפות
הטכניון במקום ה 81 בעולם, השני באירופה והראשון בישראל, בדירוג פטנטים שהוענקו לאוניברסיטאות בארה"ב ב 2025. בשנה הזו הוענקו לו 46 פטנטים, והוא האוניברסיטה הישראלית היחידה ב 100 הראשונות.
הטכניון דורג במקום ה 81 בעולם, שני באירופה וראשון בישראל, ברשימת האוניברסיטאות שקיבלו הכי הרבה פטנטים בארצות הברית ב 2025. הוא גם האוניברסיטה הישראלית היחידה שנכנסה למאה הראשונות, וזו השנה החמישית ברציפות שהוא נמצא בטופ 100 העולמי. ב 2025 הוענקו לו 46 פטנטים אמריקאיים.
הדירוג מתפרסם על ידי האקדמיה הלאומית האמריקאית לממציאים (NAI) ומבוסס על נתוני משרד הפטנטים האמריקאי (USPTO) לשנת 2025. הוא פורסם ב 12 בפברואר 2026 ומתפרסם מדי שנה מאז 2013. המאה ברשימה מחזיקות יחד יותר מ 9,300 פטנטים, ומוסדות החברים באקדמיה מהווים 56 אחוז מהרשימה.
מאחורי כל פטנט עומדת חשיבה מדעית עמוקה, ומאחורי כל רישיון אחריות ליצור השפעה.
הפטנטים של הטכניון פרושים על מגוון רחב: בינה מלאכותית, בנייה בהדפסה תלת ממדית, מערכות חכמות למתן תרופות, חומרים מתקדמים ומחשוב קוונטי. מגוון כזה מראה עד כמה המחקר האקדמי יוצא מהמעבדה אל מוצרים וטכנולוגיות.
רונה סמלר, מנהלת T3, יחידת העברת הטכנולוגיה של הטכניון שמנהלת את הקניין הרוחני ואת הרישוי, אמרה: ״מאחורי כל פטנט עומדת חשיבה מדעית עמוקה, ומאחורי כל רישיון אחריות ליצור השפעה״. לדבריה, דרך T3 הידע הופך לחדשנות שמשרתת את החברה, מחזקת את הכלכלה ותורמת לחוסן ולרווחה בישראל ובעולם.
פרופ׳ יובל גריני, סגן הנשיא ליחסי חדשנות ותעשייה, זקף את ההישג לחברי הסגל ולתלמידים שלהם: רבים מהם משקיעים לא רק במחקר ברמה הגבוהה ביותר, אלא גם בתרגום שלו לטכנולוגיות ולמוצרים שמשפרים את איכות החיים. גם האקדמיה האמריקאית מדגישה שהענקת פטנטים בארצות הברית מאפשרת למוסדות אקדמיים להפוך מקוריות טכנולוגית למוצרים תחרותיים בשוק העולמי וליצור השפעה משמעותית על החברה.
ג׳ון סקווירס, תת מזכיר המסחר האמריקאי לקניין רוחני ומנהל משרד הפטנטים, כתב בהודעת האקדמיה שמחקר אוניברסיטאי היה ונשאר ״ניצוץ של חדשנות עוצרת נשימה״. האקדמיה עצמה מזכירה שמספר הפטנטים אינו מעיד בהכרח על ערך הטכנולוגיה, ולכן הדירוג הוא מדד אחד מבין כמה.
מקורות
כתבנו את הידיעה במילים שלנו, על סמך המקורות האלה. מה שלא מופיע בהם לא נכנס.